美光推出36GB，12层堆叠HBM3E存储芯片，这是一种可用于人工智能开发的超高速存储器的高容量版本。

美光开发的36GB 12层堆叠HBM3E存储芯片具有超过1.2TB/s的内存带宽，据说这对AI开发很有用。

美光凭借HBM3E存储芯片或继续保持存储器行业领先地位。

人工智能的发展需要处理大量的数据，因此不仅处理计算的处理器，而且数据移动所涉及的内存容量和带宽都是极其重要的因素。美光已经在大规模生产24GB、8堆叠的HBM3E，该芯片也用于NVIDIA的高性能AI处理芯片“H200”。

新开发的36GB 12堆叠HBM3E具有超过1.2TB/s的内存带宽，即使是大型AI模型也可以在单个处理器上运行，并且比竞争对手的24GB 8堆叠HBM3E消耗的功率要低得多。

Micron的36GB、12层堆叠的HBM3E已经交付给行业合作伙伴，并正在接受在人工智能生态系统中采用的测试。

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